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QS5U21TR

制造商：Rohm Semiconductor

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

QS5U21TR 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）200 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）4.2nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±12V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）325pF @ 10V
  • FET 功能肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）1.25W（Ta）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TSMT5
  • 封装/外壳SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
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