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R6515ENZC8

制造商：Rohm Semiconductor

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-CH 650V TO PKG

R6515ENZC8 详细信息
  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态最後搶購
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）315 毫欧 @ 6.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 430µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）40nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）910pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）60W（Tc）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-3
  • 封装/外壳TO-3P-3 整包
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  • 可选

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