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QS8J1TR

制造商：Rohm Semiconductor

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

QS8J1TR 详细信息
  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态不適用於新設計
  • FET 类型2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）12V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.5A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）29 毫欧 @ 4.5A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）31nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2450pF @ 6V
  • 功率 - 最大值1.5W
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装TSMT8
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