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BSM600D12P3G001

制造商：Rohm Semiconductor

批号：19+

数量：2000+

功能：1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S

BSM600D12P3G001 详细信息
  • 包装散装
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能碳化硅 （SiC）
  • 漏源电压（Vdss）1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）600A（Tc）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）-
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.6V @ 182mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）-
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）31000pF @ 10V
  • 功率 - 最大值2450W（Tc）
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块
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  • 可选

现货极具优势

无起订量限制

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