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QS8M31TR

制造商：Rohm Semiconductor

批号：19+

数量：2000+

功能：QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+

QS8M31TR 详细信息
  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 和 P 沟道
  • FET 功能标准
  • 漏源电压（Vdss）60V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3A（Ta），2A（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）112mOhm @ 3A，10V，210mOhm @ 2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 1mA，3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）4nC，7.2nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）270pF，750pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1.1W（Ta）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装TSMT8
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  • 可选

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